(100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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(110)基板は(100)基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしながら、(110)面上のSi基板と酸化膜との界面準位密度は(100)面よりも多いことが知られている。また界面準位密度が高いのみではなく、そのP_bセンターと呼ばれる欠陥の状態が大きく異なる。P_bセンターには、P_<b0>とP_<b1>と呼ばれる二つの状態が存在することが知られているが、(100)面はそのP_<b0>とP_<b1>の両者を有するのに対して、(110)はP_<b0>しか存在しない。この欠陥状態の相違が、NBTI特性と1/fノイズ特性に与える影響について本論分では議論を行う。結論としては、(110)は(100)と比較してNBTI特性は優れるのに対し、ノイズは非常に多く増大する。これらの現象は、P_<b0>とP_<b1>の物理的性質の違いから説明することが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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