Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(<特集>先端CMOS及びプロセス関連技術)
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概要
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走査型トンネル顕微鏡を用いて、ナノスケールMOSFETの断面直接観察を行い、n-MOSFETのエクステンションに低濃度の裾状構造が存在していることを明らかにした。この裾はゲート酸化膜に沿って横方向に広がっていた。MOSFETの電気特性からインバースモデリングした結果はこのような裾の存在を支持するものとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-22
著者
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
福留 秀暢
株式会社富士通研究所
-
青山 敬幸
株式会社富士通研究所
-
有本 宏
MIRAI-Selete
-
有本 宏
富士通株式会社
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
有本 宏
富士通研究所
-
青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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