チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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チャネル不純物分布を正確に反映したバルクMOSFET用離散化表面ポテンシャルモデルを提案する。このモデルはフィッティングパラメータ無しにMOSFETの電気特性を正確に計算可能である。また、このモデルの応用例として、モンテカルロ法を用いた超高速な不純物濃度ばらつき解析について紹介する。
- 2009-11-05
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