複雑な形状を有するMOSデバイス解析に適した三角形メッシュ生成方法
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概要
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任意形状のチャネルに沿ったMOSの反転層の電流を正確に取り扱うことの可能な、完全に自動的な三角形メッシュ生成方法を提案する。この方法の基本的な考え方は、物質界面に対して局所的に形成される直交メッシュから成る界面保護層を生成することである。この方法の性能を斜め形状およびSLIT[1]トランジスタのシミュレーションによって確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-13
著者
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