熊代 成孝 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 熊代 成孝

  Mirai-selete

• 熊代 成孝

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 坂本 浩則

  MIRAI-Selete

• 坂本 浩則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 横田 郁宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻多 進

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 庄 俊之

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 秋山 豊

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 秋山 豊

  NEC先端デバイス開発本部

• 菅原 憲和

  NEC情報システムズ

著作論文

• 境界保護層付きメッシュを用いた拡散シミュレーションの高精度化
• 点欠陥拡散モデルにおける統一パラメータの抽出手順の構築
• 点欠陥拡散モデルにおける統一パラメータの抽出手順の構築
• 実効垂直電界依存性をもつCoulomb散乱移動度モデル
• 2次元プロセスシミュレータ用汎用拡散スキームの開発
• 2次元プロセスシミュレータ用汎用拡散スキームの開発
• 2次元プロセスシミュレータ用汎用拡散スキームの開発
• 2次元プロセスシミュレータ用汎用拡散スキームの開発
• 複雑な形状を有するMOSデバイス解析に適した三角形メッシュ生成方法

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