境界保護層付きメッシュを用いた拡散シミュレーションの高精度化
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概要
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物質境界付近及び薄膜構造デバイスの不純物拡散シミュレーションの高精度化のため、境界保護層付きメッシュ[1]をプロセスシミュレータに導入した。境界保護層付きメッシュでは、物質境界部に沿って局所的に直交メッシュを発生させる。埋め込みチャネルpMOSと表面チャネルpMOSに関して、本手法の有効性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-26
著者
-
熊代 成孝
Mirai-selete
-
庄 俊之
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
秋山 豊
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
熊代 成孝
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
横田 郁宏
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻多 進
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
秋山 豊
NEC先端デバイス開発本部
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