HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
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概要
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SiO_2に代わるべく、High-kゲート絶縁膜材料の研究開発が進行している。その候補の1つであるHfO_2をALCVD法によって形成したMOSデバイスを試作しその電気的、構造的な評価を行った。SC2酸化膜、および熱酸化膜上に形成したHfO_2膜において、成膜後の熱処理により構造の変化が見られ、熱酸化膜上のHfO_2にラフネスおよびリーク電流の増大という劣化が見られた。この界面の酸化膜の状態がHfO_2の膜質に及ぼした影響について検討した。また試作したMOSデバイスの電気特性を評価した結果、酸化膜と同等の1.7×10^10cm^<-2>という、極めて低い界面準位が観測された。これは界面に形成された酸化膜によるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-14
著者
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
青山 敬幸
株式会社富士通研究所
-
ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
-
入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
杉田 義博
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
Pidin Sergey
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
ピディン セルゲイ
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
杉田 義博
株式会社富士通研究所
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