FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA:Flexibly-Shaped-Pulse Flash-Lamp-Anneal)を用いて、極浅接合形成およびメタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの特性改善を行った。従来のFLA処理は、メタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの移動度劣化・BTI (Bias Temperature Instability)寿命の劣化を引き起こす。FLA処理後の回復アニールによりそれらの劣化は改善できるが、不純物の拡散・不活性化を伴うため浅接合形成が困難となる。FSP-FLAを用い、高出力フラッシュ後に低出力・10ミリ秒のフラッシュを追加することで、不純物の拡散・不活性化を伴うことなく、高移動度・高BTI寿命を得ることに成功したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
-
鬼沢 岳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
加藤 慎一
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
青山 敬幸
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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