部分一括露光における近接効果補正
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概要
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電子ビーム露光を用いて, デザインルール0.13μm以下のギガヒット級DRAMを高精度かつ高スループットに形成するためには, 部分一括露光の適用と近接効果の影響を抑えることが重要になる。今回, 部分一括露光での近接効果補正のために, 描画率を利用した補助露光方式の近接効果補正システムを開発した。さらに本システムを用いて, レジストパターン形成の評価を行い, 0.13μmL&Sにおいて, 描画率5%から40%で寸法差15nm, 孤立部と近接部の寸法差10nmの高精度パターン形成を実現した。また, 開口面積の広い場合ではクーロン相互作用の影響を考慮した近接効果補正が必要になることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-21
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
永田 武雄
(株)富士通研究所
-
真鍋 康夫
(株)富士通
-
町田 泰秀
(株)富士通
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所
-
町田 泰秀
富士通
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