高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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我々は, 1000℃のスパイクアニールの後でも, EOT 0.9nm且つ高電子移動度264cm^2/Vs@0.8MV/cm (SiO_2の86%)を有するTaSix/HfSiONゲートスタックを実現した。これは耐熱性の高いHfSiONゲート絶縁膜を用いて, プラズマ窒化時に窒素によって置き換えられた酸素原子による界面層成長を抑制することにより達成された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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