低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-06-03
著者
-
有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
青山 知憲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
渡辺 俊成
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
佐々木 隆興
半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部
-
大塚 文雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
峰地 輝
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
田村 泰之
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
安平 光雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
安平 光雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部
-
峰地 輝
半導体先端テクノロジーズ(selete)第一研究部
-
佐々木 隆興
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 半導体の微細化と精密工学への期待
- 300mmCu-CMPの技術開発
- 低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化
- 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力対応65nmノードCMOSプロセス : LOP対応極浅接合技術、LSTP対応HfSiONトランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力用途を目的とした極浅接合を有する65nmノードCMOSプロセス(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ゲート絶縁膜国際ワークショップ(IWGI 2003)会合報告
- 半導体産業の動向と製造装置への要望(WS.3 半導体産業に機械工学はどう貢献するか?)
- High-kゲート絶縁膜を有する65nmノードSRAM技術 (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)