HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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HfO_2系high-k材料の信頼性について実験と理論の両面から検討を行った.ゲート負バイアス印加時には, 正孔が主要キャリアとなる。HfO_2/SiO_2/Si系に正孔が注入されるとSiダングリングボンドを終端している水素の脱離が促進され, 界面SiO_2の破壊が起こりやすくなる。脱離した水素はHfO_2中でHfOH^+を形成する為, 正孔注入はNBT劣化も促進する可能性が大きい。酸素空孔は電子伝導に寄与できる位置に欠陥レベルをつくり, 電子を捕獲すると格子緩和によりエネルギーレベルが下がる。この欠陥準位が, 電子電流でのみ観測されるSILCやPBT劣化の原因となっている可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
-
知京 豊裕
物材機構
-
山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
-
北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
-
北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
Boero M.
筑波大学物理学系
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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