白石 賢二 | 筑波大学物理学系
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概要
関連著者
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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白石 賢二
筑波大物理
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影島 博之
NTT物性基礎研
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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押山 淳
筑波大学物理学系
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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押山 淳
東大物工
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白石 賢二
筑波大計科セ
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白石 賢二
NTT基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
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影島 博之
NTT基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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高橋 庸夫
北大
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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白石 賢二
筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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寒川 義裕
九大・応力研
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岡田 晋
筑波大学物理学系:計算物理学研究センター
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秋山 亨
三重大工
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赤木 和人
東北大WPI
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岡田 晋
筑波大計科セ:crest
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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赤木 和人
東大理
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岡田 晋
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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伊藤 公平
慶応大理工
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物材機構
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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常行 真司
東大理
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大院数物
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榎本 雄介
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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田口 明仁
NTT物性基礎研
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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入澤 寿美
学習院大学
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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秋山 亨
三重大学工学部
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大谷 実
産総研
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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山部 紀久夫
筑波大学
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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Boero M.
筑波大学物理学系
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山口 栄一
Ntt基礎研
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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大鉢 忠
同志壮大学工学部
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神谷 克政
兵庫県立大学大学院生命理学研究科ピコバイオロジー研究所タンパク質機能理論研究部門
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大鉢 忠
同志社大・理
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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纐纈 明伯
東京農工大
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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寒川 義裕
学習院大学計算機センター
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平岡 佳子
(株)東芝研究開発センター
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入澤 寿美
学習院大計セ
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神谷 克政
兵庫県大生命
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神谷 克政
筑波大学物理学系
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岩田 潤一
産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)
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大谷 実
筑波大学物理学系
-
常行 真司
NTT物性基礎研
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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平岡 佳子
東芝 研開セ
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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深津 茂人
慶應義塾大学理工学部
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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秋山 亨
三重大学工学研究科
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
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押山 淳
筑波大学物理学系:計算物理学研究センター
-
神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科物理学専攻
著作論文
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
- 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
- 極薄シリコン酸化膜形成の理論
- 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
- Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
- 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
- 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
- 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
- 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
- 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
- 24aYF-8 Si(111)表面上に構築されたネットワーク構造における磁性(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))