白石 賢二 | Crest:筑波大数理物質
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概要
関連著者
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白石 賢二
筑波大院数物
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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村口 正和
東北大学際センター
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高田 幸宏
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学際センター
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村口 正和
早大理工
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村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
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白石 賢二
筑波大計科セ
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押山 淳
東大物工
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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櫻井 蓉子
筑波大院数物
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白石 賢二
筑波大学
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櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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牧原 克典
広大院先端研
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池田 弥央
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大院先端物質科学
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初貝 安弘
筑波大院数理
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初貝 安弘
東大物性研
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初貝 安弘
東大工物工
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有川 晃弘
筑波大学数理
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Hatsugai Yasuhiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Hatsugai Yasuiro
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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初貝 安弘
筑波大物理
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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小鍋 哲
東理大理
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廣瀬 和之
Jaxa宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻
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白石 賢二
筑波大学計算科学研究センター
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岩田 潤一
筑波大学計算科学研究センター
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小幡 輝明
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学 大学院 数理物質科学研究科
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遠藤 哲郎
東北大スピントロニクス集積化セ:東北大学際セ:crest-jst
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尹 永択
筑波大物理
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塩川 太郎
筑波大物理
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有川 晃弘
東北大スピントロニクス集積化セ
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科
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小鍋 哲
筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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斉藤 慎一
日立中研
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村口 正和
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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小鍋 哲
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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重田 育照
兵庫県立大院生命
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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高田 幸宏
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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村口 正和
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大物理
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重田 育照
兵庫県大院生命
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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宮崎 誠一
広大
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押山 淳
筑波大学物理学系
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押山 淳
筑波大計科セ
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岩田 潤一
産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)
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有川 晃弘
筑波大計算セ
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岩田 潤一
筑波大計算セ
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白石 賢二
筑波大計科セ:jst-crest
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重田 育照
大阪大学大学院基礎工学研究科
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重田 育照
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
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初貝 安弘
CREST
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白石 賢二
CREST
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小鍋 哲
CREST-JST
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重田 育照
阪大基礎工
著作論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 26aHD-7 波束ダイナミクスにおけるスピントランスファートルク(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))