19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 岩田 潤一

  筑波大計科セ

• 押山 淳

  東大物工

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 押山 淳

  筑波大計科セ

• 岩田 潤一

  筑波大計算センター:crest

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

関連論文

• 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
• 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28pVC-2 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究(28pVC 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 27pXB-10 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(超高速現象,領域5,光物性)
• 30pVA-7 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成の記述(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
• 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
• Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
• 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
• 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
• 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
• 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aZA-10 電子-イオン系とパルスレーザー場の相互作用の第一原理的記述(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 19aZA-11 強レーザー場によるダイアモンドの誘電破壊の第一原理計算(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 26aWB-10 時間依存密度汎関数法によるバルク固体光応答の実時間シミュレーション(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 26aWB-11 強レーザー場による透明素材の絶縁崩壊過程の第一原理計算(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 28pRE-9 時間依存密度汎関数法に基づくバルクSiとパルスレーザー場の相互作用の記述(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
• 19pYN-5 時間依存密度汎関数法による励起状態計算(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aXF-6 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造 II : 螺旋度依存性の詳細
• 30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造
• 29pXB-1 強光子場中における多原子分子のイオン化率の第一原理計算
• 23aTE-12 実時間-実空間法による誘電関数の第一原理計算
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 28aTE-8 実空間密度汎関数法における対称性の利用(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-91 量子ポイントコンタクトにおける交流応答の形状効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aHD-7 波束ダイナミクスにおけるスピントランスファートルク(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aRB-10 時間依存密度汎関数理論による半金属コヒーレントフォノン生成の記述(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 第一原理計算で探るコヒーレントフォノンの生成機構
• シリコンナノワイヤのシミュレーションとπ-CAVEシステムによる可視化(「戦略分野2 : 新物質・エネルギー創成」より) (特集 京コンピュータが実現する可視化)
• 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCE-4 半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの印加電圧依存性(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aCC-6 無機分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面へのホールドープのメカニズム(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aFB-9 ナノ構造中の多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-10 一次元非一様ポテンシャル中の波束ダイナミクス(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26dXQ-3 スピン自由度を考慮した多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXQ-4 多電子波束を用いた円電流ダイナミクスへの電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク