25aCC-6 無機分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面へのホールドープのメカニズム(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-03-05

著者

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 高木 祥光

  筑波大計科セ:crest

• 佐藤 寿志

  Ntt物性基礎研

• 高木 祥光

  筑波大数理

• 嘉数 誠

  佐賀大院工

関連論文

• 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 制限空間での触媒金属粒子からの単層カーボンナノチューブ生成の分子動力学シミュレーション(熱工学,内燃機関,動力など)
• 25a-M-11 ハイパーグラファイトの電子状態
• 25a-M-10 グラファイトエッジ状態の高次元への拡張
• 20pGS-12 金属表面上の単層カーボンナノチューブの第一原理計算(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYE-1 折り畳まれたグラフェンの電子構造(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYE-5 Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pTE-3 グラファイト表面と白金微粒子との界面相互作用に関する研究(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高温超伝導薄膜フィルタの相互変調測定(マイクロ波超電導/一般)
• C-2-127 高温超伝導体NdBa_2Cu_3O_7のMBE薄膜を用いたバンドパスフィルタ(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
• 高温超伝導薄膜マイクロストリップフィルタにおける共振器形状および薄膜品質の相互変調特性への影響
• C-2-42 高温超伝導薄膜マイクロストリップフィルタにおける共振器形状および薄膜品質の相互変調特性への影響
• 27pJ-8 La_Sr_xCuO_4のc軸及び非c軸配向薄膜での抵抗率の膜厚依存性
• 高温超伝導体での格子不整合歪みによる超伝導転移温度上昇 (特集論文 高温超伝導)
• 5a-YE-6 T型酸化物超伝導体のトンネル接合特性の異方性
• 15p-E-10 214型酸化物超伝導体薄膜の表面超構造
• 非 c 軸配向をもつ高温超伝導薄膜 - 214系での準ホモエピタキシャル成長 -
• 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 29pUF-7 La_Sr_xCuO_y電子相図の歪み依存性(29pUF 高温超伝導(輸送現象,光学応答),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 13aRA-5 電子ドープ高温超伝導体薄膜の STM/STS(高温超伝導 : トンネル分光, 領域 8)
• 高温超伝導薄膜フィルタの相互変調測定(マイクロ波超電導/一般)
• 19aTE-1 歪みLa_Sr_XCuO_4薄膜の強磁場磁気輸送特性
• 24pSG-7 Nd_Ce_xCuO_4、La_Sr_xCuO_4MBE薄膜の光電子分光
• 23aSG-13 La_Ba_xCuO_yMBE薄膜の物性測定II
• 22pSG-5 薄膜によるストライプ制御
• 格子不整合歪みによる高温超伝導体の転移温度の上昇
• 25aZG-4 La-214薄膜での高温抵抗率測定
• 25aZG-3 La_Ba_xCuO_MBE薄膜の物性測定
• 25aZG-1 La_Sr_xCuO_4薄膜の光学スペクトル
• 光電子分光で見た銅酸化物超伝導体(Nd,Ce)2CuO4の表面・界面-銅酸化物表面/界面での酸化還元反応と酸素ノンストイキオメトリー-
• 25aYS-10 La_Ba_xCuO_4薄膜での格子不整合歪みによる超伝導転移温度の上昇
• 25aYS-9 La_Sr_xCuO_(001)MBE薄膜の物性測定(2)
• 29a-L-6 La_Sr_xCuO_(001)MBE薄膜の物性測定
• 高温超伝導酸化物の歪み薄膜
• 25aSA-5 フッ化炭素におけるバンドギャップ構造の第一原理的研究
• 24aR-6 ランダウ軌道の超音波応答
• 27pE-7 エッジ状態をもつ新しい3次元π電子ネットワーク
• 30aRD-9 極低温STS測定によるPt/HOPGの電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-12 金属上の数層グラフェンの第一原理計算(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
• 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
• 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
• Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
• 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
• 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
• 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
• 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• NBCO薄膜の表面抵抗測定とYBCO薄膜との比較(エレクトロニクス・一般)
• 高温超伝導体での薄膜成長による転移温度上昇と新物質合成
• ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
• 30aYH-9 紫外線領域に於ける単層カーボンナノチューブのバンド間遷移(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 新超伝導体Ba2CuO4-δの合成--薄膜成長による新物質創製 (特集論文 高温超伝導)
• 新結晶・新物質 Ba-Cu-O系における新超伝導体--薄膜MBE成長による合成
• 超伝導バンドパスフィルタの3次相互変調波測定 (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
• 28pTA-11 金属基板によるグラフェンの電子構造変調(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aPS-91 量子ポイントコンタクトにおける交流応答の形状効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTL-5 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTE-12 電極金属が誘起するグラフェン電子構造の空間的変調(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aCC-6 無機分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面へのホールドープのメカニズム(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 9aTC-13 エッジ状態の一般化と数学的基礎付け(電子系,領域11)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク