25aSA-5 フッ化炭素におけるバンドギャップ構造の第一原理的研究
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
制限空間での触媒金属粒子からの単層カーボンナノチューブ生成の分子動力学シミュレーション(熱工学,内燃機関,動力など)
-
グラファイトシートの電子物性 : ナノグラフェン
-
25a-M-11 ハイパーグラファイトの電子状態
-
25a-M-10 グラファイトエッジ状態の高次元への拡張
-
グラファイトの「欠陥」と「端」 : π電子系のナノメター効果
-
30p-YH-11 グラファイトリボンの磁気的性質
-
グラファイトの端の奇妙な電子状態 : グラファイトにおける有限サイズ効果
-
2p-D-9 端をもつフラーレンネットワークの電子状態
-
20pGS-12 金属表面上の単層カーボンナノチューブの第一原理計算(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
-
グラファイトのジグザグ端とアームチェア端のSTM/STS観察
-
30p-XE-3 高橋ストリング解の数値的検証
-
開放端を持つ1次元ハバード鎖における電荷ギャップ(基研研究会「統計物理の展望」,研究会報告)
-
6p-YJ-14 境界端のある1次元ハバード模型における境界状態の効果の解析
-
6p-YJ-13 境界場の下での1次元ハバード模型における電荷ギャップの数値解析
-
28aYE-1 折り畳まれたグラフェンの電子構造(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
-
27pYE-5 Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
-
29pTE-3 グラファイト表面と白金微粒子との界面相互作用に関する研究(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
-
25aZG-4 量子ドット・s波超伝導体接合における強相関ジョセフソン効果(25aZG 磁束・接合系など(理論),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
Mn系分子磁石の理論解析
-
27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
-
25aSA-5 フッ化炭素におけるバンドギャップ構造の第一原理的研究
-
24aR-6 ランダウ軌道の超音波応答
-
27pE-7 エッジ状態をもつ新しい3次元π電子ネットワーク
-
30aRD-9 極低温STS測定によるPt/HOPGの電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29pZA-5 半金属における部分偏極した強磁性基底状態の厳密な理論
-
23pSD-3 半金属的バンド構造をもつ2バンド模型における強磁性
-
22pYA-6 理論の現状
-
半金属的バンド構造に出現する強磁性の理論
-
25pWS-12 金属上の数層グラフェンの第一原理計算(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
第一原理計算によるナノ結晶ダイヤモンドの非sp^3結合領域の構築とその弾性特性に及ぼす影響の解析
-
30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
19aRC-9 相互作用項を持つ非エルミート模型の結合確率密度
-
28aYF-6 境界に横磁場がかかったXXZハイゼンベルグ鎖の数値計算による研究
-
27pYD-5 Kohn-Sham方程式の拡張と強相関電子模型の密度汎関数法による定式化
-
29pZA-6 動的平均場近似による半金属バンド構造を持つ2バンドハバード模型の強磁性の解析
-
23aSC-5 強相関電子系-超伝導体接合系の数値計算理論
-
25aYA-2 特異な状態密度に基づく強相関効果
-
25aYA-2 特異な状態密度に基づく強相関効果
-
高田康民, 多体問題, 朝倉書店, 東京, 1999, xi+380p., 21.5×15.5cm, 6,800円, (朝倉物理学大系9), [大学院向、専門書]
-
24aZG-6 Line nodesを持つtriplet超伝導体におけるtunneling effectとJosephson current
-
24aZG-5 異方的超伝導体-Spin gapのある一次元電子系接合系におけるJosephson 電流2
-
22pZ-9 局在・非局在転移する非エルミート模型のスペクトル解析
-
非エルミート・ランダムハイゼンベルク鎖の準位統計(基礎物理学研究所短期研究会「量子効果が顕著な役割を果たす磁性現象の新展開」,研究会報告)
-
26pYP-10 異方的超伝導体-Luttinger流体接合系における Josephson電流2
-
26pYP-9 異方的超伝導体-Spin gapのある一次元電子系接合系におけるJosephson電流
-
30p-XE-8 金属・絶縁体転移する非エルミート模型のスペクトル解析
-
ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
-
30aYH-9 紫外線領域に於ける単層カーボンナノチューブのバンド間遷移(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
密度汎関数法による仕事関数の決定に関して
-
30p-A-10 異方的超伝導体Luttinger流体接合系におけるJosephson電流
-
28pTA-11 金属基板によるグラフェンの電子構造変調(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pTE-12 電極金属が誘起するグラフェン電子構造の空間的変調(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
25aCC-6 無機分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面へのホールドープのメカニズム(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
9pSE-9 マグネテイック・ナノグラファイトとマグネテイック・ナノチューブ(ピーポッド,BNチューブ,グラファイト関連,領域7)
-
9aTC-13 エッジ状態の一般化と数学的基礎付け(電子系,領域11)
-
25aEB-6 pyridine-TiNClのドーピング機構(超電導物質1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
25aWE-11 量子ドットを介したジョセフソン電流の量子モンテカルロ計算(25aWE 金属微小接合・ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
7aPS-8 蜂の巣格子上の3準位系におけるフラットバンド出現条件((古典スピン系一般,量子スピン系,電子系 他),ポスターセッション,領域11,領域12合同,領域11)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク