第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接には4個の窒素原子が、第二近接には12個のカチオン原子が存在する。特にIn原子は共有結合半径が大きく(1.44Å)、窒素原子(0.70Å)との差が非常に大きい。この結果として、第二近接であるIn原子間距離が相対的に小さくなり、In-In相互作用が極めて重要になる。本研究では第一原理計算によって、第2近接In-In相互作用の重要性を指摘し、これがInGaNにおける窒素原子空孔の特異な原子構造や、InNにおける小さなバンドギャップの起源となっていることを示す。

• 2009-11-12

著者

• 岩田 潤一

  筑波大計科セ

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 押山 淳

  東大物工

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 白石 賢二

  筑波大学計算科学研究センター

• 岩田 潤一

  筑波大学計算科学研究センター

• 小幡 輝明

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 岩田 潤一

  筑波大計算センター:crest

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

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