30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 岩田 潤一

  筑波大計科セ

• 斎藤 晋

  東工大理

• 斎藤 晋

  東工大・理

• 矢花 一浩

  筑波大計算科学セ

• 赤井 吉郎

  東工大理

• 岩田 潤一

  産総研

• 矢花 一浩

  筑波大理

• 斎藤 晋

  東京工大

• 赤井 吉郎

  東工大院物性物理

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科

関連論文

• 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aGS-12 グラフェンと単層窒化ホウ素から成る層状超格子の電子構造と安定性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYE-6 アルカリ金属ドープフラーレンの電子格子相互作用(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pGS-7 各種カーボンナノチューブにおける螺旋度を含む構造最適化(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGS-8 窒素ドープされたカーボンナノチューブのエネルギー論と電子特性 : 不純物密度の観点から(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGS-5 グラフェンを周期的に修飾した系の電子構造(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYE-10 グラフェンナノリボン新固体相の電子状態(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYE-5 A15相Cs_3C_の電子構造の圧力依存性(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 21pRC-11 ホウ素ドープカーボンナノチューブの電子構造(ナノチューブ(光物性・成長),領域7,分子性固体・有機導体)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 23aRA-2 各種カーボンナノチューブにおける螺旋度を含む構造最適化II : 実空間密度汎関数法による研究(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
• 20pGS-4 不純物置換したカーボンナノチューブ接合構造体の電子物性(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30pYH-1 sp^2-sp^3ネットワーク構造を持つ炭素ナノ物質の電子構造(30pYH ナノチューブ構造・欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pTC-14 異方性を持つ新炭素ナノ構造体の電子状態と安定性(20pTC ナノチューブII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTG-5 カーボンナノ構造体の高温高圧処理による構造相転移(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRB-9 カーボンナノチューブの圧力誘起構造相転移と新炭素結晶(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYE-4 細いカイラルナノチューブの詳細構造の系統的研究(ナノチューブ構造,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYH-10 カーボンナノチューブの仕事関数II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pTC-4 カーボンナノチューブの仕事関数(20pTC ナノチューブII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTG-7 アームチェアナノチューブの詳細構造(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pXB-10 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(超高速現象,領域5,光物性)
• 30pVA-7 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成の記述(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
• 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• 26aRA-6 グラフェンとナノチューブから成る複合次元sp^2炭素新構造の電子状態(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aRA-3 グラフェンと単層窒化ホウ素から成る層状超格子における圧力効果(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aZA-10 電子-イオン系とパルスレーザー場の相互作用の第一原理的記述(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 19aZA-11 強レーザー場によるダイアモンドの誘電破壊の第一原理計算(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 26aWB-10 時間依存密度汎関数法によるバルク固体光応答の実時間シミュレーション(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 26aWB-11 強レーザー場による透明素材の絶縁崩壊過程の第一原理計算(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 28pRE-9 時間依存密度汎関数法に基づくバルクSiとパルスレーザー場の相互作用の記述(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
• 19pYN-5 時間依存密度汎関数法による励起状態計算(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aXF-6 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造 II : 螺旋度依存性の詳細
• 30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造
• 29pXB-1 強光子場中における多原子分子のイオン化率の第一原理計算
• 23aTE-12 実時間-実空間法による誘電関数の第一原理計算
• 長倉三郎, 井口洋夫, 江沢 洋, 岩村 秀, 佐藤文隆, 久保亮五編, 岩波理化学辞典 第5版, 岩波書店, 東京, 1998, xvi+1854p., 22×15.5cm, 本体11,000円 [学部, 大学院, 一般向]
• 29p-G-1 C_Na_Nクラスターの電子状態における炭素ネットワークの影響
• 24aRA-9 窒素ドープカーボンナノチューブにおける水素吸着の影響 : エネルギー論と電子構造(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aRB-7 カーボンナノチューブの圧力誘起構造相転移とグラフェンナノリボン新固体結晶相(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTA-11 ボロンドープ単層ナノチューブ薄膜におけるマイスナー効果(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYG-8 A15相Cs_3C_の電子状態と構造安定性(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYG-5 立方晶3次元C_ポリマーの構造と電子物性(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aWF-7 Cs_3C_の電子構造と超伝導(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTG-4 カーボンナノチューブ中のフラーレンの融合過程(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pRC-3 C_ポリマー結晶の圧力誘起構造相転移(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pXA-12 ナノチューブ構造体の電気伝導に及ぼす外部電場の影響(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWH-6 Li ドープ固体 C_ の電子構造(フラーレン, 領域 7)
• 29p-J-8 5員環2量体構造と単離可能なフラーレンの予測
• 29p-J-4 Si_20とC_20フラーレン化合物の電子構造
• 26aYE-10 カーボンナノチューブ中のC_一次元配列の構造相転移(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYE-3 三量体ピリジン型欠陥をもつカーボンナノチューブの構造安定性と電子構造(ナノチューブ構造,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28aRC-1 密度汎関数法を用いた超伝導転移温度の計算(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aYF-6 カーボンナノチューブの直径に依存した電子親和力
• 25pYF-3 Cs_xC_(x=3,4)の電子構造
• 23pS-3 Ba_4C_超伝導体の電子構造
• 28p-XA-12 K_3Ba_3C_におけるK-C_間の電子状態の混成
• 30p-YX-6 K_3Ba_3C_の電子構造
• 29p-D-13 K_3Ba_3C_の電子状態
• 超重元素の電子構造
• 22pWF-1 四員環を基本構造とする炭素クラスレートの設計(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pWF-2 炭素ナノ物質の圧力下における構造相転移(ナノチューブ物性, 領域 7)
• NaドープR相C_ポリマーの電子構造
• 1a-C-13 C_ポリマーの電子状態
• 31p-WB-10 C_-グラファイト層間化合物の電子状態
• 24pWB-10 カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か : 全体総括(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRA-6 カーボンナノチューブ・MgB_2ナノチューブ複合系の電子構造と物性(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYN-6 ナノチューブ構造体・電極間の伝導特性 : 第一原理計算による研究(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTA-10 キャリアドープしたカーボンナノチューブの電子格子相互作用(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTG-6 ボロンドープカーボンナノチューブにおける電子格子相互作用(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 31a-C-8 Liドープ固体C_の電子構造
• 29p-WB-2 シリコンクラスレートの電子状態
• 2a-J-11 Si_の電子構造
• 12pWF-7 第一原理計算に基づいた炭素ナノ構造体の伝導特性(ナノチューブ物性, 領域 7)
• 30aZP-13 定量的タイトバインディング法による3端子ナノ複合構造体の伝導特性(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
• 28aTE-8 実空間密度汎関数法における対称性の利用(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aZ-13 勾配補正を入れた時間依存密度汎関数法による金属クラスターの光吸収スペクトル
• 26pTJ-11 BNナノチューブに内包されたアルカリドープフラーレンの電子状態(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTA-6 周期的に構造修飾したグラフェンの電子構造(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-7 第一原理によるカーボンナノチューブのエネルギー論 : 螺旋度依存性の詳細(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pWF-6 多層カーボンナノチューブのエネルギー論(ナノチューブ物性, 領域 7)
• 21aRB-10 時間依存密度汎関数理論による半金属コヒーレントフォノン生成の記述(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 第一原理計算で探るコヒーレントフォノンの生成機構
• シリコンナノワイヤのシミュレーションとπ-CAVEシステムによる可視化(「戦略分野2 : 新物質・エネルギー創成」より) (特集 京コンピュータが実現する可視化)
• 27pCE-4 半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの印加電圧依存性(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク