MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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MONOS型メモリの電子トラップはSiO_2/SiN界面付近に主に分布しているのに対し、ホールトラップは界面、バルク双方に分布していることが実験で報告されている。本研究は電子トラップとホールトラップの分布の相違について理論的に考察を行った。その結果、酸素含有量の多い界面付近は電子、ホールトラップともに形成されやすいのに対し、酸素含有量の少ないSiNバルク中では電子トラップは形成されにくいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-02
著者
-
山田 廉一
東大理
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
石田 猛
日立製作所 中央研究所
-
山田 廉一
日立製作所・中央研究所
-
白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学
-
白石 賢二
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
-
小林 賢司
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
-
奥山 裕
日立製作所・中央研究所
-
石田 猛
日立製作所・中央研究所
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