DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起源 : 接合リーク電流の2値変動(新メモリ技術とシステムLSI)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
DRAMのデータ保持時間が経時的に変動する現象Variable Retention Time (VRT)は,以前から知られているものの,その起源は明らかにされていない.筆者らは、VRTの起源がセルトランジスタの接合リーク電流に由来すると考え,これを評価するためのデバイスを作成し,詳細な測定を行った.その結果,接合リーク電流が2値の間で揺らぐ現象を見出し,Variable Junction Leakage (VJL)と名づけた.本報告では,VJLの温度依存性やバイアス依存性などから,VJLがVRTの起源であることを示し,その発生機構についても議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-06
著者
-
山田 廉一
東大理
-
山田 廉一
(株)日立製作所 中央研究所
-
山田 廉一
日立製作所・中央研究所
-
毛利 友紀
(株)日立製作所中央研究所
-
大湯 静憲
エルピーダメモリ株式会社
-
小此木 堅祐
エルピーダメモリ株式会社
関連論文
- 28p-ZC-2 ホッピング伝導の磁気抵抗
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 過渡電流および定常電流を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起源 : 接合リーク電流の2値変動(新メモリ技術とシステムLSI)
- 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
- 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
- 27a-W-9 スズ微粒子薄膜の臨界抵抗
- 微小トンネル接合のネットワークにおけるKosterlitz-Thouless転移
- 28p-M-8 銅微粒子膜の磁気抵抗
- 3p-YE-8 銅微粒子膜の電気伝導における粒径の効果
- 収束電子回折によるデバイス構造の格子ひずみ評価
- 28p-M-10 超伝導微粒子薄膜における電荷・渦糸KTB転移
- 3p-YE-6 低伝導度銅微粒子膜における磁気伝導度
- 3p-YE-5 スズ微粒子膜におけるKT転移III
- 28a-L-10 スズ微粒子膜におけるKT転移
- 28a-L-9 Cu微粒子膜における電気伝導
- 12p-D-7 スズ微粒子膜におけるKT転移
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究