MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型不揮発性メモリーの高信頼化を目的に,MONOS構造内の電子及び正孔トラップ分布の解析手法の確立とトラップの起源のモデル化を行った.アバランシェ注入とC-V測定を窒化膜の膜厚を変化させたMONOS構造キャパシタに行うことによって,電子及び正孔トラップの分布を解析した.その結果,電子はトップ酸化膜/窒化膜界面と窒化膜/ボトム酸化界面に捕獲され,正孔はこの両界面に加えて窒化膜バルク中にも捕獲されることが分かった.正孔トラップの起源は窒化膜中のSiDB(Dangling Bond)であり,電子トラップの起源は3配位酸素とSiのボンド(Si-O(3))であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
山田 廉一
東大理
-
石田 猛
日立製作所 中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
山田 廉一
日立製作所・中央研究所
-
白石 賢二
筑波大学
-
石田 猛
日立製作所・中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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