polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ALD法によるHfAlOxは次世代低消費電力デバイス用のhigh-kゲート絶縁膜の有力な候補の一つであるがその信頼性に関する報告は少ない。我々は,300mmウェハ上に均一なデバイスを作製するプロセスを確立し,その絶縁破壊特性について評価した。nFETに蓄積側の定電圧ストレス印加を印加すると,ある時点でゲートリーク電流の急激な増大が起こる。これは基板から注入された正孔によるSiONの破壊に対応している。一方,pFETの蓄積側では,基板から注入される電子電流が主要な電流成分で,SiONにより電流量,及び,絶縁破壊耐圧が律速されているが,定電圧ストレス印加時にはHfAlOxの劣化によるリーク電流の増大が観測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
-
北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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