SIMOX基板に含まれる金属不純物の混入原因

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概要

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• CMOS/SIMOXデバイスの性能, 及び信頼性を向上するためには, SIMOX基板の高品質化が重要である。今研究では, 従来のSIMS分析よりもさらに高感度な化学分析を用いて、SIMOX基板中に含まれる金属不純物を系統的に定量分析した。その結果, 主に次のことがわかった。基板製造メーカーによって不純物量が異なる。不純物の混入原因は, 酸素イオン注入工程だけでなく洗浄工程や高温アニール工程の可能性がある。基板中の不純物はSi/Sio_2界面近傍に局在している。信頼性の観点からより一層の改善が望まれる。

• 1996-03-11

著者

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 吉野 明

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所

• 渡辺 かおり

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所

• 小此木 堅祐

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 北島 洋

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 小此木 堅祐

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

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