SOI基板で増速酸化が生じる臨界Cu汚染量

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概要

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近年、活性層厚さ0.1um以下のSOI基板は、高速、低消費電力デバイスへの応用が盛んである。しかし、埋め込み酸化膜が重金属拡散バリアとして働くため、活性層が薄膜化するにつれ、デバイス領域の汚染濃縮化が深刻になると思われる。我々は、CuをSOI基板に強制汚染し熱酸化すると、Cu汚染の濃縮化によって起こる増速酸化現象に着目し、各種活性層厚さに対して増速酸化物密度とCu汚染量の関係を調べた。その結果、各々の活性層厚さに対し増速酸化を誘起する臨界Cu汚染量が存在し、その臨界Cu汚染量は活性層厚さの一次関数なることが分かった。特に、活性層厚さO.1μmでは、10^<12>atoms/cm^2付近で増速酸化物が形成される可能性があり、デバイス作製プロセス汚染レベルは、1O^<12>atoms/cm^2以下にする必要がある。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-03-13

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