ゲルマニウム核シリコン量子ドットの自己組織化形成
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概要
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SiH_4ガスを用いたLPCVDと5%He希釈GeH_4を用いたLPCVDにおいて、反応初期過程を交互に精密制御することによって、ゲルマニウム内核がSiで覆われたナノメートル寸法の球状結晶ドットを極薄SiO_2膜上に形成した。形成したドットの断面TEM像では、ドット中にGe内核が存在を示唆するコントラストが観測できた。この特徴的なコントラストは、純粋なSiドットの断面TEM像には見られない。ドット形成の各ステップでAFM観察およびXPS測定した結果、あらかじめ成長させSiドット上にGeが選択成長し、さらにその上にSiが選択成長して、Ge内核がSi層で被服されたドットが形成することが分かった。形成したドットのRaman散乱分光スペクトルには、Si-SiおよびGe-Ge結合に起因するシャープなTOフォノンピークと共にSi/Ge結合に起因するTOフォノンピークも観測され、ドット成長時にSi/Ge界面でミキシング反応が生じたことが示唆された。800℃熱処理によってSi-GeTOフォノンピークが著しく増大することから、Ge内核がほぼ完全にミキシングしてSiGe混晶ドットとなることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-26
著者
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
Darma Yudi
広島大学大学院先端物質科学研究
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
Yudi DARMA
広島大学大学院先端物質科学研究
-
高岡 竜太
広島大学大学院先端物質科学研究
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