熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法により評価した。熱酸化(400〜550℃)により形成したGeO_2/Geは、酸化温度によりサブオキサイドの総量が異なり、サブオキサイド成分が界面だけでなく膜中に存在することが分かった。550℃熱酸化GeO_2(8.6nm)/Geにおいて、超高真空中410℃以上の熱処理により、GeO_2表面およびGeO_2/Ge界面からの熱脱離が生じることが明らかになった。UV-O_3およびリモート酸素プラズマ酸化により形成したGeO_2/Geとも比較した結果、H_2O_2で形成したケミカルGeO_2/Geが、最も平坦な界面が形成できていることが分かった。
- 2009-06-12
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
小埜 芳和
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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