大田 晃生 | 広島大学大学院 先端物質科学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 広島大学大学院 先端物質科学研究科の論文著者

関連著者

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 宮崎 誠一

  広大

• 村上 秀樹

  Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine

• 中川 博

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  名古屋大学 大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 吉永 博路

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 森 大樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 竹野 文人

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 藤岡 知宏

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 三嶋 健斗

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三嶋 健斗

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 貫目 大介

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 後藤 優太

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 尉 国浜

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 奥山 一樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清二郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 芝原 健太郎

  広大

• 安部 浩透

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 古川 寛章

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 多比良 昌弘

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 長町 学

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 牧原 克典

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 松井 真史

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 橋本 邦明

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 倫明

  東京都立大塚病院 外科

• 野中 作太郎

  九州電気専門学校

• 東 大介

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 三浦 真嗣

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 鴻野 真之

  東京エレクトロンAT SPA開発技術部

• 西田 辰夫

  東京エレクトロンAT SPA開発技術部

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 小埜 芳和

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 保坂 公彦

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 保坂 公彦

  富士通研究所

• 板東 竜也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 白石 博之

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 青山 敬幸

  富士通研究所

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 山岡 真左則

  広島大学大学院先端物質化学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 宗高 勇気

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 芝原 健太郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 白石 博之

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 西垣 慎吾

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  名古屋大学大学院工学研究科

• 福嶋 太紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小野 貴寛

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  名古屋大学 大学院工学研究科

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著作論文

• 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
• 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御

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