宮崎 誠一 | 名古屋大学 大学院工学研究科
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概要
関連著者
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宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大
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宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
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牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
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池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
広大院先端研
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池田 弥央
広大院先端研
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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林 司
日新電機株式会社
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竹内 大智
名古屋大学大学院工学研究科
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可貴 裕和
日新電機株式会社
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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三嶋 健斗
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三嶋 健斗
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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藤岡 知宏
広島大学大学院先端物質科学研究科
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松井 真史
広島大学大学院先端物質科学研究科
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福嶋 太紀
名古屋大学大学院工学研究科
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橋本 邦明
広島大学大学院先端物質科学研究科
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後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
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尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
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西垣 慎吾
広島大学大学院先端物質科学研究科
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小野 貴寛
広島大学大学院先端物質科学研究科
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福岡 諒
名古屋大学大学院工学研究科
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張 海
名古屋大学大学院工学研究科
-
壁谷 悠希
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第73回応用物理学会学術講演会 (2012年秋季)
- リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価
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