牧原 克典 | 名古屋大学大学院工学研究科

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概要

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• 牧原 克典

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  名古屋大学 大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 宮崎 誠一

  広大

• 牧原 克典

  名古屋大学 大学院工学研究科

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 池田 弥央

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 林 司

  日新電機株式会社

• 竹内 大智

  名古屋大学大学院工学研究科

• 可貴 裕和

  日新電機株式会社

• 福嶋 太紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 福岡 諒

  名古屋大学大学院工学研究科

• 張 海

  名古屋大学大学院工学研究科

• 壁谷 悠希

  名古屋大学大学院工学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

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著作論文

• 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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