池田 弥央 | 広島大学大学院先端物質科学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
池田 弥央
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
牧原 克典
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
-
牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
-
柴口 拓
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
林 司
日新電機株式会社
-
川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
竹内 大智
名古屋大学大学院工学研究科
-
可貴 裕和
日新電機株式会社
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
清水 雄介
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡本 祥裕
広島大学大学院先端物質科学研科
-
永井 武志
広島大学大学院・先端物質科学研究科
-
藤田 悠二
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
林 将平
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
松原 良平
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
広瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
香野 淳
福岡大学理学部
-
廣瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
著作論文
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)