PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
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概要
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SiH_4の減圧CVD法を用いてPドープSi量子ドット(ドット密度〜2.5x10^<11>cm^<-2>)を極薄ゲート酸化膜(SiO_2)上に自己組織化形成し、これをフローティングゲートとしたMOSキャパシタを作製した。このPドープSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタのC-V特性において、フローティングゲートの帯電状態を反映した明瞭なヒステリシスが観測され、pure Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタに比べ、負ゲートバイアス側へのフラットバンド電圧シフトが観測された。10KHz〜100KHzの範囲で、C-V特性に周波数依存性は、認められず、ドット形成プロセスをスキップして作製したMOSキャパシタでは、この特徴的なヒステリシスは観測されない。従って、PドープSiドットMOSキャパシタでは、Si量子ドット内のイオン化Pドナーに起因して安定な負フラットバンド電圧シフト(フローティングゲート正帯電状態の安定化)が得られると解釈できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
池田 弥央
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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