熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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リモートプラズマCVD(RPECVD)により300℃で堆積したSiO_2膜に熱プラズマジェット(TPJ)照射ミリ秒熱処理を行なった。フーリエ変換赤外吸収分光分析を行なった結果、TPJ照射前後では、膜中のSi-OH結合の低減と同時にSi-O-Si成分の増加が促進され、Si-O-Si結合状態の改善が確認された。TPJ照射及びポストメタライゼーションアニール(PMA)を施すことで3.0× 10^<10>cm^<-2>eV^<-1>の界面準位密度を得た。さらに、TPJ照射を行なうことで定電流ストレス(5.3×10^<-8>A/cm^2)印加後のフラットバンド電圧シフト(ΔV_<FB>)は-15Vから-2Vまで抑制できた。これらの結果から、低温プロセスであるTPJ照射ミリ秒熱処理及びPMAの組み合わせ処理は高品質SiO_2膜及び界面の形成に有効な技術であることが示唆される。
- 2009-11-27
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
広重 康夫
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 祐介
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
松本 和也
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
松本 和也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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