HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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700℃ NH_3雰囲気中で形成した極薄直接熱窒化膜(SiN_x:X=〜1.3,〜1.Onm)上に、HfO_2膜を電子ビーム蒸着した試料において、300〜600℃ 0_2アニールにおける界面酸化反応進行の様子をX線光電子分光法(XPS)及びフーリエ変換全反射赤外吸収分光(FT-IR-ATR)を用いて評価した。その結果、界面酸化反応に対する抑制効果は確認できるものの、窒化膜表面の酸化が進行することが分かった。更に、その表面酸化進行に伴い一部の窒素原子が基板側へ移動することが明らかになった。また、0_2アニール温度をパラメーターとして界面酸化層形成を評価した結果、350℃以上の0_2アニールにおいて著しく界面酸化層が形成されることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
竹野 文人
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
長町 学
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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