TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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TiO_2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO_2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、Ti(DPM)_4錯体を用いたMOCVDにより形成したTiO_2/Pt構造において、熱処理およびO_2プラズマ処理がTiO_2/Pt界面の化学結合状態に与える影響をX線光電子分光法により評価した。Pt膜上へのTiO_2堆積後、O_2雰囲気中熱処理では顕著な酸化反応は認められず、リモートO_2プラズマ処理ではTiO_2/Pt界面で酸化反応が進行し、PtOxが形成されることが分かった。このPtOxは、400℃以上のN_2雰囲気熱処理により還元し、TiO_2膜中への顕著なPt原子の混入は認められないことから、Pt拡散を伴わない酸素脱離の進行が示唆された。
- 2009-06-12
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
貫目 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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