TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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抵抗変化型メモリにおいて、電気抵抗変化の低電圧動作や安定したスイッチング特性を得ることを目的とし、TiO_2へのY添加が化学結合状態および抵抗変化特性に与える影響を評価した。スパッタリング法により形成したPt膜上に、Ti(dipivaloymethanato : DPM)_4およびY(DPM)_3を原料に用いたMOCVDによりY/(Ti+Y)組成(0〜33%)の異なるTiY_xO_y膜を形成し、膜緻密化のために〜1% O_2雰囲気中(大気圧)500℃で熱処理を行った。Y/(Ti+Y)組成0〜33%の領域で、X線光電子分光と分光エリプソメトリにより、TiY_xO_y薄膜のエネルギーバンドギャップ(Eg)及びPtに対する価電子帯側の障壁高さを実測し、TiY_xO_y/Pt界面のバンド不連続量を明らかにした.Au上部電極を用いたMIMキャパシタにおいて、正バイアス印加によるI-V特性より抵抗変化動作を評価し、TiO_2中へのY添加によるV_<SET>およびV_<RESET>のばらつきの改善など安定した抵抗変化動作を観測した。
- 2010-06-15
著者
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学 工学部
-
後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
カザルマン モハマド
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学 大学院先端物質科学研究科
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