極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Al/p-Ge(100)接合界面に意図的に極薄熱酸化GeO_2を形成し、N_2熱処理によるショットキー障壁高さおよび化学構造の変化の相関を電流-電圧(I-V)特性および硬X線光電子分光法(HAXPES)より評価した。300℃以上のN_2熱処理によりAl/GeO_2界面でGeO_2の還元が促進し、Ge価電子帯上端に金属の実効的な仕事関数が固定されるフェルミレベルピニング(FLP)現象が顕在化する。GeO_2の代わりに、N_2雰囲気中スパッタ法で極薄HfN層を導入すると、450℃の熱処理に対してもFLP緩和に有効であった。極薄膜を用いた伝導特性制御において、熱的に安定な接合界面の形成には、効果的にN導入することが重要である。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
著者
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
-
松井 真史
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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