光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
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概要
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光照射下及び暗時においてSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの容量-電圧(C-V)特性及び過渡I-V特性を調べた。p及びn型Si(100)基板上に作製したAlゲートMOSキャパシタのC-V特性は、Siドットへの電荷注入・放出により、基板のフェルミ準位を反映した対称的なヒステリシスを示すことから、ヒステリシス特性に対する特定のエネルギーを持ったトラップからの影響を無視できる。また、光照射することでMOSFETsの動作状態である反転領域においてSiドットへの電子注入による容量ピークを観測した。このことは、光照射下におけるMOSキャパシタの特性からSi量子ドットフローティングゲートMOSFETsにおける最適な動作バイアス条件が評価可能であることを示す。
- 2005-03-04
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
柴口 拓
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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