AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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厚さ約4nmのSiO_2/p-Si(100)上に低面密度に自己組織化形成したサイズの異なる半球状Si量子ドットにおいて、電子注入・放出によって生じる帯電状態をノンコンタクトのAFM/ケルビンプローブ(KFM)を用いて定量評価した。ドット高さ20nm以上のSiドットにおいて、電子注入および電子放出後、ドット周囲に比べ中心部の電位変化が少ない環状の表面電位分布が確認された。電位変化量から見積もったドット内の保持電荷量は複数個の電子または正孔に相当することから、保持電荷間のクーロン反発が環状の表面電位像が起源であると解釈できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-23
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
西谷 純一郎
広島大学大学院先端物質科学研科
-
ダルマ ユディ
広島大学大学院先端物質科学研科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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