Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
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概要
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ゲート長20μm-30nm、ゲート酸化膜厚1.6nm-1.86nmのnMOSFETを作成し、n^+poly-Si側壁/SiO_2界面におけるキャリア空乏化のトランジスタ特性への影響を評価した。ゲートトンネル電流のゲート長依存性を測定したところ、ゲート長0.5μm以下の領域で理論値からずれることがわかった。これは、n^+poly-Si側壁/SiO_2界面ヘリン原子が偏析、ゲートバルク中のキャリアが空乏化したことが原因であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
広瀬 全孝
産業技術総合研究所
-
三原 竜善
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
広瀬 全孝
次世代半導体研究センター
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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