表面・界面反応と水素
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-03-10
著者
関連論文
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
- 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- SC-8-4 Si量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリへの応用
- 単電子回路による知能集積デバイスの可能性(新しい知能化へ向けたLSIシステム技術)
- シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- 光バスを用いたパターンマッチング回路
- 大学と企業研究所の関係を考える
- Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- FDTD法によるモード変換抑圧曲がり導波路の解析
- FD-TD法によるLSIチップ内光配線の解析
- 大学におけるVLSI設計教育のためのチップ製造サービス
- UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
- 表面・界面反応と水素
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ルネサンスの巨匠ダ・ヴインチとミケランジェロ
- 10-6 シリコンナノ結晶材料を用いた光導電膜の検討
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 日本の情報・システム産業と大学のVLSI教育/研究
- 高流動性プラズマ CVD による薄膜形成
- プラズマCVDにおける表面反応制御(最新のプラズマプロセス技術)
- 熱酸化ポーラスシリコンの時間分解フォトルミネッセンス
- 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価
- 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
- 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
- 水素結合は不要 : 局在準位を介した発光再結合の可能性
- 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
- 電子・光共存型集積システムの探求
- 界面 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- アモルファスSiへのリンドーピングによる欠陥補償
- MIS型Si太陽電池の特性評価
- フロ-ティングSiゲ-トトンネル注入MIS構造におけるメモリ機構
- MOS構造のトンネルスペクトロスコピ-
- ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価
- Si(100)表面の水素終端化に及ぼすBHF処理の影響
- 中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
- 29p-B-6 a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の蛍光と励起スペクトル
- シリコンウエハの自然酸化 (原子層制御から原子制御へ) -- (各種材料の層状成長)
- プロセス用プラズマの制御最前線 (制御されたプロセス用プラズマを目指して--その現状と将来展望)
- ポリシランの低温成長
- プラズマCVDの反応機構
- アモルファス半導体超格子の物性
- 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
- 反応性プラズマによる薄膜形成
- プラズマCVDによるアモルファス超格子薄膜 (プラズマ化学の新しい可能性を探る)
- 新結晶・新物質--アモルファス半導体超格子薄膜
- レ-ザ-エッチング (レ-ザ-による物質処理特集号)
- レ-ザエッチング (エキシマレ-ザによるプロセシング技術)
- 光励起プロセスの現状と将来展望
- 急展開する情報通信革命と技術開発パラダイムの転換--システム・デバイス・材料開発の課題を考える (特集 パラダイム変革期に望まれる機能性セラミックスの新展開)
- 9.各種材料の層状成長 : 9.2シリコンウエハの自然酸化
- ポリシランの低温成長
- 反応性プラズマによる薄膜形成
- プラズマを用いる新材料の開発
- アモルファスSi:H成長中の発光分光分析