リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
n^+ poly-Siゲート形成のためのリン拡散,及び熱処理による酸化膜中のリン再分布と酸化膜の構造変化をXPS,FT-IR-ATRを用いて評価した.その結果,undoped Poly-Si ゲートでの900℃,10minリン拡散とその後の900℃,10min熱処理によりゲート酸化膜中まで拡散したりンはSO_2/c-Si界面こおいてPile-upしているこど明らかになった.またXPSによるP2p内殻スペクトルの解析から酸化膜中こは4配位リン,及びP=O結合をもちSiO_2ネットワークに対して配位したリンク存在が明らかになった.SiO_2/c-Si界面近傍2nmの領域こおいて,リン拡散した酸化膜のLOフォノンの低波数シフト量はリン拡散していない酸化膜の場合よりも小さい.このことからSiO_c-Si界面に存在する圧縮性ストレスは3配位リンにより緩和されることが示唆される.一方,4×10^<20>cm^<-3>程度のリン拡散は酸化膜の価電子帯状態密度とバンドギャップに大きな影響を与えないことが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
関連論文
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
- 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- SC-8-4 Si量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリへの応用
- 単電子回路による知能集積デバイスの可能性(新しい知能化へ向けたLSIシステム技術)
- シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- 光バスを用いたパターンマッチング回路
- 大学と企業研究所の関係を考える
- Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- FDTD法によるモード変換抑圧曲がり導波路の解析
- FD-TD法によるLSIチップ内光配線の解析
- 大学におけるVLSI設計教育のためのチップ製造サービス
- UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
- 表面・界面反応と水素
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ルネサンスの巨匠ダ・ヴインチとミケランジェロ
- 10-6 シリコンナノ結晶材料を用いた光導電膜の検討
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 日本の情報・システム産業と大学のVLSI教育/研究
- 高流動性プラズマ CVD による薄膜形成
- プラズマCVDにおける表面反応制御(最新のプラズマプロセス技術)
- 熱酸化ポーラスシリコンの時間分解フォトルミネッセンス
- 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価
- 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
- 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
- 水素結合は不要 : 局在準位を介した発光再結合の可能性
- 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
- 電子・光共存型集積システムの探求
- 界面 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- アモルファスSiへのリンドーピングによる欠陥補償
- MIS型Si太陽電池の特性評価
- フロ-ティングSiゲ-トトンネル注入MIS構造におけるメモリ機構
- MOS構造のトンネルスペクトロスコピ-
- ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価
- Si(100)表面の水素終端化に及ぼすBHF処理の影響
- 中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価
- 29p-B-6 a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の蛍光と励起スペクトル
- シリコンウエハの自然酸化 (原子層制御から原子制御へ) -- (各種材料の層状成長)
- プロセス用プラズマの制御最前線 (制御されたプロセス用プラズマを目指して--その現状と将来展望)
- ポリシランの低温成長
- プラズマCVDの反応機構
- アモルファス半導体超格子の物性
- 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
- 反応性プラズマによる薄膜形成
- プラズマCVDによるアモルファス超格子薄膜 (プラズマ化学の新しい可能性を探る)
- 新結晶・新物質--アモルファス半導体超格子薄膜
- (Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
- レ-ザ-エッチング (レ-ザ-による物質処理特集号)
- レ-ザエッチング (エキシマレ-ザによるプロセシング技術)
- 光励起プロセスの現状と将来展望
- 急展開する情報通信革命と技術開発パラダイムの転換--システム・デバイス・材料開発の課題を考える (特集 パラダイム変革期に望まれる機能性セラミックスの新展開)
- 9.各種材料の層状成長 : 9.2シリコンウエハの自然酸化
- ポリシランの低温成長
- 反応性プラズマによる薄膜形成
- プラズマを用いる新材料の開発
- アモルファスSi:H成長中の発光分光分析