30a-A-2 a-Si:H/a-Si_<1-x>N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1986-09-12

著者

• 森垣 和夫

  物性研

• 広瀬 全孝

  産業技術総合研究所

• 広瀬 全孝

  広大工

• 宮崎 誠一

  広大工

• 竹中 久

  物性研

• 荻原 千聡

  物性研

• 竹中 久

  いわき明星大理工

関連論文

• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
• 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
• 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
• 29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
• 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
• Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
• 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
• シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
• SC-8-4 Si量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリへの応用
• 単電子回路による知能集積デバイスの可能性(新しい知能化へ向けたLSIシステム技術)
• シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性
• 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
• 光バスを用いたパターンマッチング回路
• 大学と企業研究所の関係を考える
• Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性
• サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
• FDTD法によるモード変換抑圧曲がり導波路の解析
• FD-TD法によるLSIチップ内光配線の解析
• 大学におけるVLSI設計教育のためのチップ製造サービス
• UV/光電子法を用いた減圧下での微粒子除去
• 表面・界面反応と水素
• 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
• ルネサンスの巨匠ダ・ヴインチとミケランジェロ
• 10-6 シリコンナノ結晶材料を用いた光導電膜の検討
• シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
• リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
• 30a-B-12 アモルファスSi:Au系およびSi:Au:H系の金属・非金属転移
• 新たなブレークスルーには何が必要か
• 日本の情報・システム産業と大学のVLSI教育/研究
• 高流動性プラズマ CVD による薄膜形成
• プラズマCVDにおける表面反応制御(最新のプラズマプロセス技術)
• 熱酸化ポーラスシリコンの時間分解フォトルミネッセンス
• 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価
• 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
• 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
• 水素結合は不要 : 局在準位を介した発光再結合の可能性
• 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
• 電子・光共存型集積システムの探求
• 界面 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
• 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• アモルファスSiへのリンドーピングによる欠陥補償
• 2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
• MIS型Si太陽電池の特性評価
• フロ-ティングSiゲ-トトンネル注入MIS構造におけるメモリ機構
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 27a-G-7 a-Si:Hにおけるルミネッセンス光照射効果 : 低温照射と室温照射の違い
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
• 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
• 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
• 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
• 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
• 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
• 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-BJ-7 Ge における電子-正孔液滴の荷電と光伝導 II
• 13a-K-14 CdSの不純物伝導とESR
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
• 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
• 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 7a-B-3 SiドナーESRによる抵抗減少 II
• 7a-B-2 GeのドナーESRによる抵抗変化
• 3a-N-12 SiのドナーESRによる抵抗減少
• 3a-N-11 n型Siのミリ波ホットエレクトロン効果
• 18a-A-5 n-InSbのミリ波ESR
• GaPのドナー・スピン共鳴 : 半導体 (下純物)
• 補償されたn型Siのミリ波ESR : 半導体 (下純物)
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
• 1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-FC-8 a-Si:H系の時間分解ODMR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク