4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
-
13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
-
27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
-
27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
-
29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
-
2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
-
12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
-
29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
-
30a-B-12 アモルファスSi:Au系およびSi:Au:H系の金属・非金属転移
-
27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
-
30a-A-5 a-Si:HのENDOR
-
30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
-
30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
-
29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
-
4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
-
4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
-
2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
-
4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
-
27a-G-7 a-Si:Hにおけるルミネッセンス光照射効果 : 低温照射と室温照射の違い
-
30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
-
30a-A-6 a-Si:H及びa-Si:合金系における三重項状態
-
2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
-
2p-F-19 a-Si:Hにおけるルミネッセンス・ODMRの不純物効果
-
4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
-
4a-A-3 a-Si:Hにおける時間分解ODMR(I)
-
1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
-
1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
-
12p-D-9 a-Si:Hにおけるルミネッセンスと光検波ESRのアニール効果
-
27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
-
30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
-
5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
-
27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
-
27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
-
27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
-
27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
-
30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
-
30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
-
30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
-
26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
-
26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
-
4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
-
30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
-
2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
-
2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
-
2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
-
30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
-
30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
-
30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
-
4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
-
4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
-
5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
-
2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
-
4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
-
2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
-
1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
-
2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
-
1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
-
1p-BJ-7 Ge における電子-正孔液滴の荷電と光伝導 II
-
13a-K-14 CdSの不純物伝導とESR
-
5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
-
光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
-
K. Tanaka and T. Shimizu, ed.: Amorphous and Liquid Semiconductors, 10: Proceedings of the 10th International Conference, Tokyo, 1983, Pts. I and II, North-Holland, Amsterdam, 1983, 2vols. (xxvi+1326ページ), 24.5×17.5cm (Journal of Non-Crystalline Solids, Vo
-
1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
-
12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
-
27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
-
30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
-
30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
-
1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
-
アモルファス・シリコンのギャップ状態と再結合過程 (アモルファス物質)
-
29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
-
不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
-
7a-B-3 SiドナーESRによる抵抗減少 II
-
7a-B-2 GeのドナーESRによる抵抗変化
-
3a-N-12 SiのドナーESRによる抵抗減少
-
3a-N-11 n型Siのミリ波ホットエレクトロン効果
-
18a-A-5 n-InSbのミリ波ESR
-
GaPのドナー・スピン共鳴 : 半導体 (下純物)
-
補償されたn型Siのミリ波ESR : 半導体 (下純物)
-
27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
-
30a-LM-7 CoCl_2のフォノンラマン散乱強度の温度依存性の異常(イオン結晶・光物性)
-
1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
-
1a-FC-8 a-Si:H系の時間分解ODMR(1a FC 半導体(アモルファス))
-
1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
-
1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク