30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1986-09-12

著者

• 平林 泉

  マックスプランク

• 太田 洋

  物性研

• 森垣 和夫

  東大物性研

• 平林 泉

  東大物性研

• 太田 洋

  東大物性研

関連論文

• 29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
• 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
• 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
• 30a-F-15 アモルファスSi:Au系の金属・非金属転移
• 1p-L-2 アモルファスSiAuの低温における抵抗測定
• 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
• 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
• 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
• 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
• 4a-D-7 Pドープa-Si:Hにおける凍結欠陥のESRと熱平衡過程
• 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
• 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• 5p-K-8 アモルファスSi-Au系の熱起電能
• 6p-B-16 アモルファスSi-Au系の光吸収
• 6p-B-15 アモルファスSi-Au系のvariable range hoppingとESRによる抵抗変化
• 12a-F-16 アモルファスSi-Au系の金属非金属転移とESR
• 3a-R-8 Si;P金属領域でのESRによる抵抗変化
• 4p-KL-3 Si:Pのマイクロ波によるホットエレクトロン効果
• 4a-M-9 IK以下のSi:PのドナークラスターESR
• 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
• 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
• 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
• 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
• 半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
• 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
• 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
• CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
• 22a-G-3 Si: Pのクラスター共鳴線のシフト
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 4p-R-6 Geにおける電子-正孔液滴の荷電
• 14p-Y-4 AsをdopeしたGeの電子 : 正孔液体からの発光
• 5p-KD-13 高励起Geの電子-正孔液体による発光
• 3p-L-14 高励起Geの発光と光伝導
• 11p-H-8 高励起GaPの光電子のホット・エレクトロン効果
• 3p-K-12 高励起GaPの励起子発光と光伝導
• 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
• 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
• 14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
• 30a-A-6 a-Si:H及びa-Si:合金系における三重項状態
• 2p-F-19 a-Si:Hにおけるルミネッセンス・ODMRの不純物効果
• 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
• 4a-A-3 a-Si:Hにおける時間分解ODMR(I)
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 12p-D-9 a-Si:Hにおけるルミネッセンスと光検波ESRのアニール効果
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
• 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
• 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
• 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
• 23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
• 2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
• 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
• 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
• 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
• 29p-B-3 高圧処理されたa-Si:HにおけるODMRとODENDOR
• 第11回アモルファスおよび液体半導体国際会議
• 3a-H-14 高濃度不純物半導体におけるバンド電子と局在電子の共存
• 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
• 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
• 30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
• 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
• 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
• 28a-N-2 アモルファス半導体におけるフォノンの関与した電子現象
• 30a-W-7 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成と水素の微視的分布の相関 : 圧力効果との比較
• 2a-K-8 a-Si:HにおけるODENDOR
• 物性研短期研究会「アモルファス半導体超格子の構造と物性
• 4p-KL-4 Si:Pのクラスター共鳴線のシフトとオーバーハウザー効果
• 22a-G-4 Ge: Asの高濃度域でのg値の濃度変化
• 6p-M-8 Si:PのESRのホット・エレクトロン効果
• 3a-H-13 n型Geの高濃度域のESRと抵抗変化
• 3a-TA-9 電子線照射を受けたGe内燐(P)ドナーのESR
• 18a-A-8 電子線照射を受けたP-doped GeのESR
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 4p-M-16 Geにおける電子-生孔液滴の荷電と光伝導
• CdS,Se混晶の電子のESRと励起過程 : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 1p-G-9 CdSのドナー・スピン共鳴
• 光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• K. Tanaka and T. Shimizu, ed.: Amorphous and Liquid Semiconductors, 10: Proceedings of the 10th International Conference, Tokyo, 1983, Pts. I and II, North-Holland, Amsterdam, 1983, 2vols. (xxvi+1326ページ), 24.5×17.5cm (Journal of Non-Crystalline Solids, Vo
• 1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
• 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
• 30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
• 30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
• 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
• アモルファス・シリコンのギャップ状態と再結合過程 (アモルファス物質)
• 29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク