22a-G-4 Ge: Asの高濃度域でのg値の濃度変化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
関連論文
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 30a-F-15 アモルファスSi:Au系の金属・非金属転移
- 1p-L-2 アモルファスSiAuの低温における抵抗測定
- 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
- 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
- 4a-D-7 Pドープa-Si:Hにおける凍結欠陥のESRと熱平衡過程
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 5p-K-8 アモルファスSi-Au系の熱起電能
- 6p-B-16 アモルファスSi-Au系の光吸収
- 6p-B-15 アモルファスSi-Au系のvariable range hoppingとESRによる抵抗変化
- 12a-F-16 アモルファスSi-Au系の金属非金属転移とESR
- 3a-R-8 Si;P金属領域でのESRによる抵抗変化
- 4p-KL-3 Si:Pのマイクロ波によるホットエレクトロン効果
- 4a-M-9 IK以下のSi:PのドナークラスターESR
- 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
- 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
- 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
- 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
- 半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
- 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
- CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
- 22a-G-3 Si: Pのクラスター共鳴線のシフト
- 4p-R-6 Geにおける電子-正孔液滴の荷電
- 14p-Y-4 AsをdopeしたGeの電子 : 正孔液体からの発光
- 5p-KD-13 高励起Geの電子-正孔液体による発光
- 3p-L-14 高励起Geの発光と光伝導
- 11p-H-8 高励起GaPの光電子のホット・エレクトロン効果
- 3p-K-12 高励起GaPの励起子発光と光伝導
- 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
- 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
- 14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
- 30a-A-6 a-Si:H及びa-Si:合金系における三重項状態
- 2p-F-19 a-Si:Hにおけるルミネッセンス・ODMRの不純物効果
- 4a-A-3 a-Si:Hにおける時間分解ODMR(I)
- 12p-D-9 a-Si:Hにおけるルミネッセンスと光検波ESRのアニール効果
- 30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
- 30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
- 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
- 2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
- 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
- 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
- 29p-B-3 高圧処理されたa-Si:HにおけるODMRとODENDOR
- 第11回アモルファスおよび液体半導体国際会議
- 3a-H-14 高濃度不純物半導体におけるバンド電子と局在電子の共存
- 30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
- 28a-N-2 アモルファス半導体におけるフォノンの関与した電子現象
- 30a-W-7 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成と水素の微視的分布の相関 : 圧力効果との比較
- 2a-K-8 a-Si:HにおけるODENDOR
- 物性研短期研究会「アモルファス半導体超格子の構造と物性
- 4p-KL-4 Si:Pのクラスター共鳴線のシフトとオーバーハウザー効果
- 22a-G-4 Ge: Asの高濃度域でのg値の濃度変化
- 6p-M-8 Si:PのESRのホット・エレクトロン効果
- 4a-M-12 R.E.,Li:ZnSe 中のアクセプター・センターのE.S.R.
- 3a-H-13 n型Geの高濃度域のESRと抵抗変化
- 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
- 3a-TA-9 電子線照射を受けたGe内燐(P)ドナーのESR
- 18a-A-8 電子線照射を受けたP-doped GeのESR
- 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 4p-M-16 Geにおける電子-生孔液滴の荷電と光伝導
- CdS,Se混晶の電子のESRと励起過程 : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 1p-G-9 CdSのドナー・スピン共鳴
- 13a-Q-11 KCl:F 中心の励起状態のESR
- 31p-RC-7 固体における光音響検出磁気共鳴
- 1p-N-12 Si:Pの遠赤外光吸収のドナー濃度効果
- 6p-B-17 アモルファスSi_Au_xの誘電率異常
- 光ポンピングと光検波ESR
- 4a-L-3 KCl:F中心の励起状態のESR(II)
- 2p-F-18 a-Si:Hにおける時間分解QDMR-III
- 4a-A-4 a-Si:Hにおける時間分解ODMR-II
- 29a-D-10 アモルファスSi-Au系の磁気抵抗効果
- 1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
- 30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
- 4a-M-10 Si:Pの100GHzでのESRとスピンに依存した電気伝導
- 30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
- 29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
- 6p-H-6 ミリ波帯におけるn-SiのESR(II)
- 13a-K-17 ミリ波帯におけるn-SiのESR
- 非晶質半導体 (非晶質) -- (非晶質物質研究の展望と問題点)
- 27a-LE-1 P-ドープa-Si:Hのスピン緩和(半導体)
- 2p-L2-5 a-Siのアニール効果 : ESR測定(半導体,(アモルファス))
- 1p-FC-2 多結晶シリコンの電子輸送現象(1p FC 半導体(アモルファス))
- 28p-H-6 水素化アモルファスシリコン及びその合金系における三重項励起子状態(28pH 半導体(アモルファス))
- 28p-H-2 a-Si_Au_x:H膜のルミネッセンス(28pH 半導体(アモルファス))
- 28p-H-5 a-Si:Hにおける光検出ENDOR(28pH 半導体(アモルファス))
- 28p-H-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜の物性(28pH 半導体(アモルファス))
- 1a-D1-2 a-Si:Hにおける時間分解ODMR : μ秒領域(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
- 28p-H-4 a-Si:H系超格子の光誘起吸収(28pH 半導体(アモルファス))
- 1a-D1-3 時間分解ODMR(TRODMR)によるa-Si:Hの再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
- 1a-D1-1 中性子照射a-S_i:HのPA及びODMR(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)