13a-Q-11 KCl:F 中心の励起状態のESR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1972-10-10
著者
関連論文
- 光脱離 (原子・分子・イオンの放出を観測する表面研究手法(技術ノ-ト))
- 4a-Z-12 遷移金属カルコゲナイドおよびハライドの内殻吸収
- 31a GF-4 固体水素の基礎吸収スペクトル
- 5p-AD-7 高分子薄膜の軟X線吸収
- シンクロトロン放射を用いる分光実験
- 9a-A-5 パルス光で励起した銀ハライド発光の時間変化
- ルビーレーザー光励起によるAgBr : I^-の発光 : イオン結晶
- 30p-L-14 SmSeの光電子分光
- 8a-L-2 Silver halideの低温での基礎吸收
- 8p-D-6 AgCl薄膜の光吸収
- Zone-refined KClの光電導 : イオン結晶
- アルカリハライドのZone-refineing : イオン結晶
- 9a-P-4 KCl結晶のPurification
- 13a-N-14 黒リン及び黒リン型P-As合金の光電子分光
- 13a-N-5 2Hおよび1T-TaSe_2のO_(5P内殻)吸収
- 13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
- 30p-L-5 酸化バナジウムの反射スペクトル
- 30p-L-3 固体Neの3p-3s発光の励起スペクトル
- 29a-N-6 黒リン単結晶のシンクロトロン放射分光
- 28a-N-2 2Hおよび1T-TaSe_2のシンクロトロン放射光電子分光 I
- 27a-N-8 黒リン中の内殻励起子と共鳴光電子放出
- 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
- 2a-NL-1 シンクロトロン放射光を用いたエネルギー微分反射スペクトル
- 27p-B-13 遷移金属化合物のM_内殻吸収
- KClのF中心の低温の光伝導 : 光物性・イオン結晶
- イオン結晶・格子欠陷
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 9p-A-3 AgBr-AgCl混晶のIndirect Exciton II : 再結合発光
- 9p-A-2 AgBr-AgCl混晶のIndirect Exciton I : 光吸収
- 30a-F-15 アモルファスSi:Au系の金属・非金属転移
- 1p-L-2 アモルファスSiAuの低温における抵抗測定
- 1a-K-2 LiHの吸収端およびLi^+K殻反射測定
- 5p-J-19 電子線励起された凝縮相Ar,Neの光吸収スペクトル
- 6a-Q-8 NaCl:F中心のRES光吸収スペクトル
- 12a-T-2 KCL:F_A(Na)中心のRESからの赤外光吸収
- 4a-L-4 F光励起による赤外過渡吸収
- 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
- 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
- 4a-D-7 Pドープa-Si:Hにおける凍結欠陥のESRと熱平衡過程
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 5p-K-8 アモルファスSi-Au系の熱起電能
- 6p-B-16 アモルファスSi-Au系の光吸収
- 6p-B-15 アモルファスSi-Au系のvariable range hoppingとESRによる抵抗変化
- 12a-F-16 アモルファスSi-Au系の金属非金属転移とESR
- 3a-R-8 Si;P金属領域でのESRによる抵抗変化
- 4p-KL-3 Si:Pのマイクロ波によるホットエレクトロン効果
- 4a-M-9 IK以下のSi:PのドナークラスターESR
- 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
- 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
- 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
- 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
- 半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
- 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
- CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
- 22a-G-3 Si: Pのクラスター共鳴線のシフト
- Ag-halides : I^-の励起状態の赤外スペクトル : イオン結晶
- 4p-R-6 Geにおける電子-正孔液滴の荷電
- 14p-Y-4 AsをdopeしたGeの電子 : 正孔液体からの発光
- 5p-KD-13 高励起Geの電子-正孔液体による発光
- 3p-L-14 高励起Geの発光と光伝導
- 11p-H-8 高励起GaPの光電子のホット・エレクトロン効果
- 3p-K-12 高励起GaPの励起子発光と光伝導
- 6p-J-3 銀ハライドのtransient electron center II.AgCl
- 6p-J-2 銀ハライドのtransient electron center I.AgBr
- 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
- 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
- 14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
- 24p-H-1 銀ハライドの電子局在中心 I. bound-polaron state
- 銀ハライドのrecombination luminescence (III) AgBr : Li^+, AgBr : Na^+ : イオン結晶
- 30a-A-6 a-Si:H及びa-Si:合金系における三重項状態
- 2p-F-19 a-Si:Hにおけるルミネッセンス・ODMRの不純物効果
- 4a-A-3 a-Si:Hにおける時間分解ODMR(I)
- 12p-D-9 a-Si:Hにおけるルミネッセンスと光検波ESRのアニール効果
- 30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
- 30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
- おわりに(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
- 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 絶縁体結晶にみられる光励起エネルギーの転換過程(V. 励起子の格子緩和と欠陥生成,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
- 5p-NE-17 イオン結晶の光励起子スパッタリング II.温度依存性
- 1a-K-10 イオン結晶の光スパツタリング
- 3a-Z-8 個体 Ne に於る "excition-bubble" の生成過程
- 物性研SOR物性研究施設について
- 1974年色中心国際会議
- J.H.Crawford, Jr. and L.M.Slifkin, Point Defects in Solids, Vol. 1, General and Ionic Crystals, Plenum Press, 1972, 556ページ, 23.5×16cm, 13,500円.
- 23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
- 2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
- 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
- 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
- 29p-B-3 高圧処理されたa-Si:HにおけるODMRとODENDOR
- 第11回アモルファスおよび液体半導体国際会議
- Zone-refined KClのColor Centerと光電導 : イオン結晶シンポジウム : Electron-trapped color center
- 13a-N-5 アルカリ・ハライド中の複合H中心
- 13a-Q-11 KCl:F 中心の励起状態のESR
- 4a-L-3 KCl:F中心の励起状態のESR(II)