4a-M-12 R.E.,Li:ZnSe 中のアクセプター・センターのE.S.R.
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-04-03
著者
関連論文
- 11a-E-6 Cu〔Hg(SCN)_4〕のE.S.R.(II)
- 12a-R-6 Cu〔Hg(SCN)_4〕のE.S.R.
- 9p-G-1 ZnSe中のEr^のE.S.R.
- 4p-KL-4 Si:Pのクラスター共鳴線のシフトとオーバーハウザー効果
- 22a-G-4 Ge: Asの高濃度域でのg値の濃度変化
- 6p-M-8 Si:PのESRのホット・エレクトロン効果
- 4a-M-12 R.E.,Li:ZnSe 中のアクセプター・センターのE.S.R.
- 3a-H-13 n型Geの高濃度域のESRと抵抗変化
- 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
- 3a-TA-9 電子線照射を受けたGe内燐(P)ドナーのESR
- 18a-A-8 電子線照射を受けたP-doped GeのESR
- 31p GB-13 KI:Sn^における吸収と発光 I. : 電荷補償空位の吸収線形に及ぼす影響
- 3a-S-3 固体ヒドラジンの陽子共鳴 II.
- 4a-KG-8 固体ヒドラジンの陽子共鳴 I.
- 30p-S-12 ZnSe中のEr^のE.S.R.(II)