光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
-
2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
-
12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
-
30a-A-5 a-Si:HのENDOR
-
30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
-
30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
-
29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
-
4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
-
4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
-
4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
-
4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
-
1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
-
1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
-
27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
-
30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
-
30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
-
2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
-
2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
-
30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
-
30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
-
30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
-
4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
-
4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
-
2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
-
1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
-
光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
-
K. Tanaka and T. Shimizu, ed.: Amorphous and Liquid Semiconductors, 10: Proceedings of the 10th International Conference, Tokyo, 1983, Pts. I and II, North-Holland, Amsterdam, 1983, 2vols. (xxvi+1326ページ), 24.5×17.5cm (Journal of Non-Crystalline Solids, Vo
-
1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
-
12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
-
27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
-
30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
-
30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
-
1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
-
アモルファス・シリコンのギャップ状態と再結合過程 (アモルファス物質)
-
29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク