2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1985-09-13

著者

• 森垣 和夫

  物性研

• 平林 泉

  マックスプランク

• 平林 泉

  物性研

• 林 良英

  埼玉工大

関連論文

• 長方形断面の棒における応力波伝播挙動の温度依存性についての理論的考察 ([日本実験力学会]2010年度年次講演会)
• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
• 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
• 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
• 29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
• 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• 30a-B-12 アモルファスSi:Au系およびSi:Au:H系の金属・非金属転移
• 27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
• 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
• 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
• 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
• 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
• 2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 27a-G-7 a-Si:Hにおけるルミネッセンス光照射効果 : 低温照射と室温照射の違い
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
• 縦衝撃を受けるビルでの動的応力の解析 ([日本実験力学会]2009年度年次講演会)
• 2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
• 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
• 31p-BF-11 完全結晶のK吸収端近傍における回折強度変化と温度因子
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
• 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
• 30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
• 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
• 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
• 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
• たて衝撃を受けるビルをモデル化した高速光弾性実験解析 (日本実験力学会2004年度年次講演会) -- (破壊力学・非破壊評価)
• 円柱形固体媒質における応力波伝播挙動の温度依存性(2) ([日本実験力学会]2011年度年次講演会)
• ヒトの下肢骨の衝撃応力波伝播挙動について
• 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 1p-BJ-7 Ge における電子-正孔液滴の荷電と光伝導 II
• 13a-K-14 CdSの不純物伝導とESR
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 長方形断面の棒における応力波伝播挙動の温度依存性(2) ([日本実験力学会]2008年度年次講演会)
• 長方形断面のエポキシ棒において応力波伝播挙動に及ぼす形状効果 ([日本実験力学会]2007年度年次講演会)
• 長方形断面の棒における応力波伝播挙動の温度依存性 (〔日本実験力学会〕2006年度年次講演会)
• 介護用ベッドの開発--排泄物自動処理装置 (〔日本実験力学会〕2006年度年次講演会)
• 介護用排泄物自動処理装置の開発 (2005年・バイオメカニクスワークショップ・新潟)
• 長方形断面の棒における応力波伝播挙動について(2) (2005年・バイオメカニクスワークショップ・新潟)
• たて衝撃を受けるビルをモデル化した高速光弾性実験解析(2) (日本実験力学会講演論文集 2005年度年次講演会) -- (衝撃工学(2))
• バイオメカニクスとツボ空手 (日本実験力学会講演論文集 2005年度年次講演会) -- (バイオメカニクス)
• ツボ空手のバイオメカニクス及びスポーツ工学に関する研究 (2004年・バイオメカニクスワークショップ・札幌) -- (テーマ1 全身、及び顎・顔面・口腔構造とバイオメカニクス)
• 長方形断面の棒における応力波伝播挙動について (2004年・バイオメカニクスワークショップ・札幌) -- (テーマ1 全身、及び顎・顔面・口腔構造とバイオメカニクス)
• ヒトの大腿骨の衝撃応力波伝播挙動について (日本実験力学会2004年度年次講演会) -- (バイオメカニクス(1))
• 衝撃力を受けるヒトの大腿骨の研究 (2004年度分科会合同講演会 工学の各分野における実験力学技術の現状・応用および展望)
• ツボ空手のバイオメカニクス的研究
• ヒトの下肢骨の衝撃応力波伝播挙動について
• 光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• K. Tanaka and T. Shimizu, ed.: Amorphous and Liquid Semiconductors, 10: Proceedings of the 10th International Conference, Tokyo, 1983, Pts. I and II, North-Holland, Amsterdam, 1983, 2vols. (xxvi+1326ページ), 24.5×17.5cm (Journal of Non-Crystalline Solids, Vo
• 1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
• 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
• 30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
• 30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
• 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
• アモルファス・シリコンのギャップ状態と再結合過程 (アモルファス物質)
• 29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
• 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 7a-B-3 SiドナーESRによる抵抗減少 II
• 7a-B-2 GeのドナーESRによる抵抗変化
• 3a-N-12 SiのドナーESRによる抵抗減少
• 3a-N-11 n型Siのミリ波ホットエレクトロン効果
• 18a-A-5 n-InSbのミリ波ESR
• GaPのドナー・スピン共鳴 : 半導体 (下純物)
• 補償されたn型Siのミリ波ESR : 半導体 (下純物)
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
• 27a-LE-1 P-ドープa-Si:Hのスピン緩和(半導体)
• 1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-FC-8 a-Si:H系の時間分解ODMR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク